Сенсорні прилади на основі поверхневого плазмонного резонансу
Дорожинський Г.В., Маслов В.П., Ушенін Ю.В. Сенсорні прилади на основі поверхневого плазмонного резонансу. Монографія / Відповідальний редактор Порєв В.А. – Київ: НТУУ«КПІ», 2016 – 264 с.
Рекомендовано до видання Вченою радою Національного технічного університету України «Київський олітехнічний інститут» (протокол №3 від14.03.2016 р.).
В монографії викладені матеріали, присвячені актуальному питанню розгляду тенденцій розвитку високочутливих приладів на основі фізичного явища поверхневого плазмонного резонансу (ППР). Наведена класифікація та розглянуто існуючі сенсори аналітичних приладів та визначено, що оптичні сенсори є більш чутливими до досліджуваних речовин. Значну увагу приділено питанням підвищення точності та чутливості приладів на основі ППР, а також галузям застосування цих приладів. Переваги цих приладів наступні: можливість вивчення процесів молекулярної взаємодії в мікронних шарах у реальному масштабі часу; малий об’єм проби досліджуваної речовини (менше10 мкл); відсутність потреби у маркерах та флуоресцентних мітках для досліджуваної речовини (аналіту), що обумовило широке
використання цього приладу в світі. Наведені технічні характеристики розроблених в Україні сенсорних приладів на явищі ППР та показані напрямки їх застосування.
Монографія призначена для наукових та інженерно-технічних співробітників, що займаються розробкою та експлуатацією сенсорних приладів, робота яких заснована на вимірюванні оптичних характеристик рідких та газоподібних речовин.
Сенсорні прилади
Термографический контроль солнечных элементов и батарей в режиме стабилизации нагрева темновым током
Предложен новый метод термографического контроля солнечных батарей, базирующийся на различных
режимах нагрева темновым током.
Компенсация систематической погрешности измерения температуры поверхности зоны плавки
Обоснован новый метод компенсации систематической погрешности измерения температуры поверхности
зоны плавки, обусловленной отраженным излучением
НФОРМАЦІЙНА ТЕХНОЛОГІЯ КОНТРОЛЮ ПЕРЕГРІВУ РІДКОЇ ФАЗИ У ПРОЦЕСІ ЗОННОЇ ПЛАВКИ КРЕМНІЮ
Обґрунтована інформаційна технологія контролю та представлені експериментальні результати
щодо перевищення температури поверхні рідкої фази над температурою плавлення кремнію.
Представлені експериментальні графіки розподілу яскравості вздовж вертикальної осі кристалу
на поверхні рідкої фази у сукупності послідовних виборок та побудовані відповідно до них графіки
розподілу температури. Обґрунтовано аналітичний вираз для оцінки максимально можливого
перегріву поверхні рідкої фази кремнію в ході плавки та отримане значення T=60 К, яке можна
використати як верхню оцінку температури перегріву.